STP20N65M5
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP20N65M5 datasheet
-
МаркировкаSTP20N65M5
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP20N65M5 Continuous Drain Current: 18 A Drain-source Breakdown Voltage: 650 V Fall Time: 7.5 ns Gate Charge Qg: 36 nC Gate-source Breakdown Voltage: +/- 25 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 130 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.19 Ohms Rise Time: 7.5 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.19 Ohms
-
Количество страниц21 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024
10.06.2024